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高级半导体分立器件和集成电路装调工技能鉴定手机免费mg试玩官方网站在线观看及答案
单选题
1.固相中形成超微粉体的好处()。
A、成本低
B、工艺简单
C、散热好
D、耐磨性最强
参考答案:A
2.关于氢能的特点错误的是()。
A、氢能是取之不竭,用之不尽的。
B、氢在燃烧时不产生污染物,是理想的绿色能源。
C、碳纳米管在氢能的储运应用方面已经成熟。
D、氢气释放能量快,反应速率常数高。
参考答案:C
3.微波铁氧体的应用领域包括()等。
A、开关元件
B、逻辑元件
C、录音机磁芯
D、环形器
参考答案:D
4.在高频电路中,一般不允许选用()电阻
A、金属电阻
B、金属氧电阻
C、钢膜电阻
D、线电阻
参考答案:D
5.晶体管的三个工作区是()。
A、截止区
B、区域不定
C、放射区
D、放区
参考答案:D
6.评价一个设计好坏的重要质量指标有()。
A、稳定性
B、功能
C、成本
D、功耗
参考答案:A
7.氧化物陶瓷由那几个部分组成()。
A、陶瓷材料
B、氧化铝
C、氧化铁
D、碳化硅
参考答案:B
8.作为陶瓷基板材料,与氧化铝和氮化铝相比,氧化铍的优势有()。
A、高密度
B、高介电损耗
C、高热导系数
D、高介电强度
参考答案:C
9.发光二极管发光时,其工作在()。
A、反向截止区
B、正向导通区或反向击穿区
C、正向导通区
D、反向击穿区
参考答案:C
10.下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是:()。
A、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值,对于PMOS器件是一个负值。
B、随着栅电压的不断提高,耗尽区宽度将逐渐增大。
C、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时,将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
D、不同体偏置下条件下的阈值电压可以由下式确定:
参考答案:B
11.发光二极管正常工作时,外加()电压。
A、弱向
B、击穿
C、交流
D、正向
参考答案:C
12.二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、为0
参考答案:A
13.以下()是世界知名的电功能陶瓷的生产企业。
A、TOTO
B、FERRO
C、TDK
D、京瓷
参考答案:B
14.当一个熔断器保护一只灯时,熔断器应串联在开关()。
A、前
B、后
C、中
D、无
参考答案:B
15.设计一种空调控制器电路板,需要多个0.25W,误差±5%的电阻,应该选用以下的()。
A、金属膜电阻
B、金属氧化膜电阻
C、碳膜电阻
D、线线电阻
参考答案:C
16.煤、石油以及风能、太阳能、核能、地热能等是可以直接从自然界获得的,统称为()。
A、二次能源
B、一次能源
C、可再生能源
D、不可再生能源
参考答案:B
17.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。
A、β1
B、β2
C、β
D、1+β
参考答案:B
18.关于一对串联反相器中的寄生电容,电容的大小随着工艺尺寸的缩小而增加的是()。
A、扩散电容CDB1和CDB2
B、栅漏电容CGD12
C、扇出的栅电容CG3和CG4
D、连线电容CW
参考答案:D
19.以下()的粉体适合于新型陶瓷的生产。
A、板状
B、球形
C、不规则形状
D、柱状
参考答案:B
20.万用表电压量程2.5V是当指针指在()位置时电压值为2.5V。
A、1/2量程
B、满量程
C、2/3量程
D、3/3量程
参考答案:B
21.下面关于传播延时的定义错误的是()。
A、传播延时只与电路工艺和拓扑连接有关。
B、通常所说的传播延时是针对门的。
C、传播延时tp是tpLH(门的输出由低至高翻转的响应时间)和tpHL(输出由高至低翻转的响应时间)这两个时间的平均值。
D、输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。
参考答案:A
22.某场效应管的漏极特性曲线则该场效应管为()。
A、P沟道耗尽型MOS管
B、N沟道耗尽型MOS管
C、P沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
参考答案:B
23.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则()。
A、1为e3为b2为C
B、1为e2为b3为C
C、2为e1为b3为C
D、3为e1为b2为C
参考答案:A
24.在使用电容器时,加在其两端的电压应满足()额定电压。
A、大于
B、远高于
C、小于
D、无限制
参考答案:C
25.下面有关导线接触电阻的说法正确的是:()。
A、为了降低接触电阻,接触孔应该设计得尽可能大。
B、电流往往集中在一个较大接触孔的周边,这一效应称为电流集聚,电流集聚效应将限制接触孔的最小尺寸。
C、布线层内的互连将给导线带来额外的电阻,称为接触电阻。
D、为避免过多的接触或通孔,应该尽可能地使信号线保持在同一层。
参考
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